口罩对准器/紫外线曝光站

掩模对准器/UV曝光站(Newport Inc.)是一种光刻设备,用于在光刻胶上制造微米尺寸的图案。光刻掩模是在光刻胶薄涂层的晶圆上对齐,并暴露在紫外线下。根据光刻胶类型(正或负),将晶圆浸入显影液后,暴露的区域被去除或保留在表面上。光刻胶覆盖的区域可以使用离子研磨、化学蚀刻或剥离来去除,以创建功能性薄膜图案。
口罩对准器/紫外线曝光站规格
- 4.25 x 4.25英寸DUV 220至260 nm 500 W泛光曝光外壳,使用HgXe短弧灯,均匀度为+/- 5%,350至450nm二色镜转换为NUV 350至450nm区域。
- 数字曝光控制器,以保持灯的稳定性,因为它老化到+/- 1%以内,曝光时间从10毫秒到9999小时在0.1秒的间隔,和剂量控制。
- 掩模对准夹具,易于3步对准,以适应1英寸外径或1 x 1英寸至6英寸外径或6 x 6英寸的晶圆/基板;5 x 5英寸掩模支架和自定义4英寸晶圆支架,可容纳4英寸外径和3英寸外径晶圆;安装在24行程的精密平移滑块上。
- Splitfield显微镜安装在X-Y台上,带有照明套件,可照亮高反射和非反射基板/晶圆;5倍和10倍的物镜;和显微镜视频试剂盒。
- 手持式功率计和校准探头峰值为254nms和365nms。
样本数据

用户率
费率将基于每小时或每个样本的基础上,并将与客户协商后决定。
辅助使用:15美元/小时。
培训包括洁净室培训:50美元/小时。
自用:10美元/小时。
消耗品按成本价收费。
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Leszek Malkinski博士电子邮件:lmalkins@uno.edu